Číslo produktu výrobce:
ALD114913PAL
Product Overview
Výrobce:
Advanced Linear Devices Inc.
Číslo dílu:
ALD114913PAL-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Podrobný popis:
Mosfet Array 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Inventář:
13216832
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ALD114913PAL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Advanced Linear Devices
Balení
Tube
Řada
EPAD®
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funkce FET
Depletion Mode
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
10.6V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12mA, 3mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
500Ohm @ 2.7V
vgs(th) (max.) @ id
1.26V @ 1µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2.5pF @ 5V
Výkon - Max
500mW
Provozní teplota
0°C ~ 70°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balení / pouzdro
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Balíček zařízení dodavatele
8-PDIP
Základní číslo výrobku
ALD114913
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
1014-1065
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ALD1108ESCL
MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC
ALD110904PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD310704ASCL
MOSFET 4P-CH 8V 16SOIC
