Číslo produktu výrobce:
AOWF10N65
Product Overview
Výrobce:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Číslo dílu:
AOWF10N65-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 10A TO262F
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-262F
Inventář:
12849091
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
CyjH
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
AOWF10N65 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1645 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
25W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-262F
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
AOWF10
Technický list a dokumenty
Výkresy produktů
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
5202-AOWF10N65
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDD13AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
AON7408
MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFN
AON6508
MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
