AOY66923
Číslo produktu výrobce:

AOY66923

Product Overview

Výrobce:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Číslo dílu:

AOY66923-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 16.5A (Ta), 58A (Tc) 6.2W (Ta), 73W (Tc) Through Hole TO-251B

Inventář:

5855 Ks Nový Originál Skladem
12848955
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

AOY66923 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Balení
Tube
Řada
AlphaSGT™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
16.5A (Ta), 58A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1725 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
6.2W (Ta), 73W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-251B
Balení / pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Základní číslo výrobku
AOY669

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
AOY66923
Technické listy
AOY66923
HTML Datový list
AOY66923-DG

Další informace

Standardní balíček
70
Další jména
5202-AOY66923
785-1835

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Související produkty
onsemi

HUF75617D3S

MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF2918L

MOSFET N-CH 100V 13A/58A TO220F

onsemi

NTB75N06LG

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

onsemi

FQP4P25

MOSFET P-CH 250V 4A TO220-3