Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
NE662M04-T2-A
Product Overview
Výrobce:
CEL
Číslo dílu:
NE662M04-T2-A-DG
Popis:
SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL
Podrobný popis:
RF Transistor NPN 3.3V 35mA 25GHz 115mW Surface Mount M04
Inventář:
78000 Ks Nový Originál Skladem
12966859
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NE662M04-T2-A Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární RF tranzistory
Výrobce
CEL (California Eastern Laboratories)
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistoru
NPN
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
3.3V
Frekvence - přechod
25GHz
Šumové číslo (dB Typ @ f)
1.1dB @ 2GHz
Získat
17dB
Výkon - Max
115mW
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 5mA, 2V
Proud - sběrač (Ic) (Max)
35mA
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-343F
Balíček zařízení dodavatele
M04
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
3923-NE662M04-T2-ATR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
MAPRST0912-50
VÝROBCE
MACOM Technology Solutions
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
MAPRST0912-50-DG
CENY ZA JEDNOTKU
409.80
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BFU630F,115
VÝROBCE
NXP USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
17026
DiGi ČÍSLO DÍLU
BFU630F,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.21
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BF776H6327XTSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
205
DiGi ČÍSLO DÍLU
BF776H6327XTSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.14
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BFP640FH6327XTSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3096
DiGi ČÍSLO DÍLU
BFP640FH6327XTSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.14
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
NSVF4020SG4T1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2515
DiGi ČÍSLO DÍLU
NSVF4020SG4T1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.18
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NE85633-T1B-A
SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
UPA810T-T1-A
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
NE68819-T1-A
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
NE85639-T1-A
SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL