CC-C2-B15-0322
Číslo produktu výrobce:

CC-C2-B15-0322

Product Overview

Výrobce:

CoolCAD

Číslo dílu:

CC-C2-B15-0322-DG

Popis:

SiC Power MOSFET 1200V 12A
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 12A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-247

Inventář:

30 Ks Nový Originál Skladem
13373452
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

CC-C2-B15-0322 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Balení
Bulk
Řada
-
Balení
Bulk
Stav dílu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
15V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
135mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
3.2V @ 5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 15 V
VGS (Max)
+15V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1810 pF @ 200 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
100W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247
Balení / pouzdro
TO-247-4

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
5
Další jména
3892-CC-C2-B15-0322

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay

SIRS4302DP-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

taiwan-semiconductor

TSM60NB380CH

600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CH

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay

SI4190BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-