Číslo produktu výrobce:
2N7002H-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
2N7002H-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 170mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventář:
5089 Ks Nový Originál Skladem
12882117
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
WLLt
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
2N7002H-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
170mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.35 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
26 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
370mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
2N7002
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2N7002H-7DICT
2N7002H-7DITR
2N7002H-7DIDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP3013SFK-7
MOSFET P-CH 30V DFN2523-6
DMN2100UDM-7
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
DMTH4004LPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
