BC856B-7-F
Číslo produktu výrobce:

BC856B-7-F

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

BC856B-7-F-DG

Popis:

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 65 V 100 mA 200MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3

Inventář:

155840 Ks Nový Originál Skladem
12890225
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

BC856B-7-F Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
PNP
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100 mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
65 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
15nA
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Výkon - Max
300 mW
Frekvence - přechod
200MHz
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Základní číslo výrobku
BC856

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
BC856B-7-FDIDKR-DG
BC856B-7-FDITR
BC856B-7-FDICT
BC856B-7FDICT
BC856B-7-FDITR-DG
BC856B-7-FDIDKR
BC856B-7-FDICT-DG
BC856B-7-F-DG
BC856B-7FDIDKR
BC856B7F
BC856B-7FDITR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

2SC4793,WNLF(J

TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

diodes

FZT49A3TA

TRANS NPN 100V 1A SOT223-3

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC2235-O(T6FJT,FM

TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC3668-Y,T2WNLF(J

TRANS NPN 50V 2A MSTM