Číslo produktu výrobce:
BS107P
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
BS107P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92
Inventář:
1875 Ks Nový Originál Skladem
12902970
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BS107P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.6V, 5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
vgs(th) (max.) @ id
-
VGS (Max)
±20V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
500mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-92
Balení / pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Základní číslo výrobku
BS107
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
BS107P-NDR
BS107
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IXFN44N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B
ZXMP2120G4TA
MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
DMG1013UWQ-13
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
