Číslo produktu výrobce:
BS170PSTOB
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
BS170PSTOB-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Inventář:
12901397
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BS170PSTOB Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
270mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
625mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
E-Line (TO-92 compatible)
Balení / pouzdro
E-Line-3
Základní číslo výrobku
BS170
Další informace
Standardní balíček
2,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
VN2106N3-G
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6842
DiGi ČÍSLO DÍLU
VN2106N3-G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.34
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
DMTH6016LFVW-7
MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
FDFMA2P859T
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
DMN62D0LFB-7
MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
