Číslo produktu výrobce:
DDA114EH-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DDA114EH-7-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
Inventář:
2950 Ks Nový Originál Skladem
12884170
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DDA114EH-7 Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
10kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
10kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
-
Frekvence - přechod
250MHz
Výkon - Max
150mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
SOT-563
Základní číslo výrobku
DDA114
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
-DDA114EH-7DICT
DDA114EH-7-DG
-DDA114EH-7DITR
DDA114EH-7DITR
DDA114EH-7DIDKR
DDA114EH-7DICT
-DDA114EH-7DIDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NSBA114EDXV6T1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4000
DiGi ČÍSLO DÍLU
NSBA114EDXV6T1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.05
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
EMB11T2R
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
30713
DiGi ČÍSLO DÍLU
EMB11T2R-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.08
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
ADC114EUQ-13
PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10
DCX114EU-7
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
DDA114YH-7
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563