Číslo produktu výrobce:
DDA123JK-7-F
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DDA123JK-7-F-DG
Popis:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-26
Inventář:
12890666
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DDA123JK-7-F Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
2.2kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
-
Frekvence - přechod
250MHz
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-23-6
Balíček zařízení dodavatele
SOT-26
Základní číslo výrobku
DDA123
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IMB10AT110
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5988
DiGi ČÍSLO DÍLU
IMB10AT110-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.08
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
RN2605(TE85L,F)
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
12
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN2605(TE85L,F)-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.05
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
DDA123JU-7-F
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5700
DiGi ČÍSLO DÍLU
DDA123JU-7-F-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.04
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
RN1707,LF
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
RN2708,LF
PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
RN2903FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
