Číslo produktu výrobce:
DMG1012T-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMG1012T-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Inventář:
18767 Ks Nový Originál Skladem
12883569
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMG1012T-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
630mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.74 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±6V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60.67 pF @ 16 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
280mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-523
Balení / pouzdro
SOT-523
Základní číslo výrobku
DMG1012
Další informace
Standardní balíček
10,000
Další jména
31-DMG1012T-13TR
31-DMG1012T-13DKR
31-DMG1012T-13CT
DMG1012T-13-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP57D5UFB-7
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
DMP3098LSS-13
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOP
DMP2006UFG-13
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI