Číslo produktu výrobce:
DMG1016V-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMG1016V-7-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 870mA, 640mA 530mW Surface Mount SOT-563
Inventář:
78330 Ks Nový Originál Skladem
12891787
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMG1016V-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
870mA, 640mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60.67pF @ 16V
Výkon - Max
530mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
SOT-563
Základní číslo výrobku
DMG1016
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMG1016V-7DICT
DMG1016V-7DITR
DMG1016V-7DIDKR
DMG1016V7
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMC3036LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
DMN2024UTS-13
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
DMNH6021SPD-13
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50