Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
DMG3414UQ-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMG3414UQ-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 780mW Surface Mount SOT-23-3
Inventář:
Poptejte online
12884771
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMG3414UQ-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25mOhm @ 8.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
829.9 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
780mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
DMG3414
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
DMG3414UQ
Technické listy
DMG3414UQ-13
HTML Datový list
DMG3414UQ-13-DG
Další informace
Standardní balíček
10,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TSM210N02CX RFG
VÝROBCE
Taiwan Semiconductor Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
131718
DiGi ČÍSLO DÍLU
TSM210N02CX RFG-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.10
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
DMG3414UQ-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3023
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMG3414UQ-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.08
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
TSM250N02CX RFG
VÝROBCE
Taiwan Semiconductor Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
70731
DiGi ČÍSLO DÍLU
TSM250N02CX RFG-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.09
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP1012UFDF-13
MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
DMP22D4UFA-7B
MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN0806H4
DMNH4006SPS-13
MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
DMTH6009LK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252