Číslo produktu výrobce:
DMG4511SK4-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMG4511SK4-13-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Podrobný popis:
Mosfet Array 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
Inventář:
2496 Ks Nový Originál Skladem
12888121
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMG4511SK4-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel, Common Drain
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
35V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.3A, 5A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
35mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
18.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 25V
Výkon - Max
1.54W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Balíček zařízení dodavatele
TO-252-4L
Základní číslo výrobku
DMG4511
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
DMG4511SK4-13DICT
DMG4511SK4-13DIDKR
DMG4511SK4-13DITR
DMG4511SK413
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMTH4007SPD-13
MOSFET 2N-CH 40V 14.2A POWERDI50
DMN2014LHAB-7
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
DMN3055LFDB-7
MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN