Číslo produktu výrobce:
DMG4800LK3-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMG4800LK3-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventář:
6452 Ks Nový Originál Skladem
12882857
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMG4800LK3-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
17mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.6V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
798 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.71W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
DMG4800
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
DMG4800LK313
DMG4800LK3-13DIDKR
DMG4800LK3-13DICT
DMG4800LK3-13DITR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
2N7002TQ-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523
DMN10H170SFDE-13
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
DMP1022UWS-13
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
