Číslo produktu výrobce:
DMG4N65CT
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMG4N65CT-DG
Popis:
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 2.19W (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventář:
12883638
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMG4N65CT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.19W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
DMG4
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
DMG4N65CTDI
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP5NK80Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
240
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP5NK80Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.85
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
IXTP4N80P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP4N80P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.10
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IRF820PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1744
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF820PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.47
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN2027UPS-13
MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
DMN21D2UFB-7B
MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
DMP2004WK-7
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
