Číslo produktu výrobce:
DMG4N65CTI
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMG4N65CTI-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB
Inventář:
12882720
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMG4N65CTI Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
8.35W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
ITO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základní číslo výrobku
DMG4
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
DMG4N65CTIDI
DMG4N65CTIDDI
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TSM4ND65CI
VÝROBCE
Taiwan Semiconductor Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1845
DiGi ČÍSLO DÍLU
TSM4ND65CI-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.04
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
BS170FTA
MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
DMP21D0UFB-7
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
DMNH4005SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8
