Číslo produktu výrobce:
DMG6402LDM-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMG6402LDM-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 1.12W (Ta) Surface Mount SOT-26
Inventář:
4343 Ks Nový Originál Skladem
12888089
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMG6402LDM-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
27mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
404 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.12W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-26
Balení / pouzdro
SOT-23-6
Základní číslo výrobku
DMG6402
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMG6402LDM-7DITR
DMG6402LDM7
DMG6402LDM-7DICT
DMG6402LDM-7DIDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMJ65H190SCTI
MOSFET BVDSS: 501V-650V ITO-220A
DMS3014SSS-13
MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
DMTH4005SCT
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
