DMG6402LVT-7

Číslo produktu výrobce:

DMG6402LVT-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMG6402LVT-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 6A (Ta) 1.75W (Ta) Surface Mount TSOT-26

Inventář:

26413 Ks Nový Originál Skladem

12900401

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

DMG6402LVT-7 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

30 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

6A (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.5V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

30mOhm @ 7A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

11.4 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

498 pF @ 15 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

1.75W (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

TSOT-26

Balení / pouzdro

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Základní číslo výrobku

DMG6402

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

DMG6402LVT-7-DG

Další informace

Standardní balíček

3,000

Další jména

DMG6402LVT-7DICT

DMG6402LVT-7DIDKR

DMG6402LVT-7DITR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

diodes

DMN33D8LTQ-13

MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523

taiwan-semiconductor

TSM4436CS RLG

MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SOP

diodes

DMN13H750S-7

MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM600N25ECH C5G

MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251