DMG8601UFG-7
Číslo produktu výrobce:

DMG8601UFG-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMG8601UFG-7-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8

Inventář:

5950 Ks Nový Originál Skladem
12883882
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMG8601UFG-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.1A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
23mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.05V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
143pF @ 10V
Výkon - Max
920mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-PowerUDFN
Balíček zařízení dodavatele
U-DFN3030-8
Základní číslo výrobku
DMG8601

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
DMG8601UFG
Technické listy
DMG8601UFG-7
HTML Datový list
DMG8601UFG-7-DG

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
DMG8601UFG-7DICT
DMG8601UFG-7DIDKR
DMG8601UFG7
DMG8601UFG-7DITR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Související produkty
diodes

2N7002DWA-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

diodes

DMP2060UFDB-13

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN

diodes

DMC2710UDW-13

MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363

diodes

2N7002DW-7-G

MOSFET 2N-CH 60V SOT-363