Číslo produktu výrobce:
DMG8N65SCT
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMG8N65SCT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventář:
12883489
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMG8N65SCT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.3Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1217 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB (Type TH)
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
DMG8N65
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFP7N80PM
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP7N80PM-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.60
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXFP7N80P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
299
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP7N80P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.31
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
DMTH4004SCTB-13
MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R
DMN3007LSS-13
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
DMN67D8L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
