DMJ70H1D5SV3
Číslo produktu výrobce:

DMJ70H1D5SV3

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMJ70H1D5SV3-DG

Popis:

MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
Podrobný popis:
N-Channel 700 V 5A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH3)

Inventář:

12882456
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMJ70H1D5SV3 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
700 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
316 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
78W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-251 (Type TH3)
Balení / pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Základní číslo výrobku
DMJ70

Další informace

Standardní balíček
75

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay-siliconix

IRF9Z14S

MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

diodes

DMT3006LPS-13

MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060

diodes

DMN3023L-7

MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

diodes

DMT10H025LK3-13

MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R