Číslo produktu výrobce:
DMN1016UCB6-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN1016UCB6-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Podrobný popis:
N-Channel 12 V 5.5A (Ta) 920mW (Ta) Surface Mount U-WLB1510-6
Inventář:
3520 Ks Nový Originál Skladem
12888488
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN1016UCB6-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
20mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
423 pF @ 6 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
920mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
U-WLB1510-6
Balení / pouzdro
6-UFBGA, WLBGA
Základní číslo výrobku
DMN1016
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN1016UCB6-7DIDKR
DMN1016UCB6-7DICT
DMN1016UCB6-7DITR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
PMCM6501VNEZ
VÝROBCE
NXP USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2022638
DiGi ČÍSLO DÍLU
PMCM6501VNEZ-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.19
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP3036SFG-13
MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
DMNH6042SK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 25A TO252
DMP2160U-7
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3