Číslo produktu výrobce:
DMN1019USN-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN1019USN-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Podrobný popis:
N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Inventář:
14938 Ks Nový Originál Skladem
12887921
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN1019USN-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.2V, 2.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
800mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2426 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
680mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SC-59-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
DMN1019
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
10,000
Další jména
DMN1019USN-13DITR
DMN1019USN-13DIDKR
DMN1019USN-13DICT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN2025U-7
MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
BS170PSTOA
MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
DMT3009LFVWQ-7
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
