DMN1019UVT-13
Číslo produktu výrobce:

DMN1019UVT-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN1019UVT-13-DG

Popis:

MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Podrobný popis:
N-Channel 12 V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26

Inventář:

12891935
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN1019UVT-13 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10.7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.2V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
800mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
50.4 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2588 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.73W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TSOT-26
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základní číslo výrobku
DMN1019

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
10,000
Další jména
DMN1019UVT-13DI

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
DMN1019UVT-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6295
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN1019UVT-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.09
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMN3007LSSQ-13

MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

diodes

DMN6068LK3Q-13

MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

diodes

DMN2550UFA-7B

MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN

diodes

DMNH6008SCT

MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB