Číslo produktu výrobce:
DMN10H170SFGQ-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN10H170SFGQ-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventář:
12899386
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN10H170SFGQ-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
122mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870.7 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
940mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMN10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN10H170SFGQ-13DI
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMN10H170SFG-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1070
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN10H170SFG-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.16
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
DMN10H170SFGQ-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN10H170SFGQ-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.23
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
DMN10H170SFG-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5900
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN10H170SFG-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.16
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
TSM60NB1R4CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251
TSM1NB60SCT A3
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
TSM80N1R2CP ROG
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252