DMN2005UFG-13

Číslo produktu výrobce:

DMN2005UFG-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN2005UFG-13-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333

Podrobný popis:

N-Channel 20 V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventář:

5947 Ks Nový Originál Skladem

12888130

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

DMN2005UFG-13 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

20 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

18.1A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

2.5V, 4.5V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1.2V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

164 nC @ 10 V

VGS (Max)

±12V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

6495 pF @ 10 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

1.05W (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

PowerDI3333-8

Balení / pouzdro

8-PowerVDFN

Základní číslo výrobku

DMN2005

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

DMN2005UFG-13-DG

Další informace

Standardní balíček

3,000

Další jména

DMN2005UFG-13DITR

DMN2005UFG-13DICT

DMN2005UFG-13DIDKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

diodes

DMN2450UFB4-7R

MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

diodes

DMN3067LW-13

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

diodes

DMTH4008LPSQ-13

MOSFET N-CH 40V PWRDI5060

diodes

DMT31M7LPS-13

MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060