Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
DMN2011UFDF-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN2011UFDF-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 14.2A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventář:
Poptejte online
12882897
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN2011UFDF-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
14.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
9.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2248 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
U-DFN2020-6 (Type F)
Balení / pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
DMN2011
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
DMN2011UFDF
Technické listy
DMN2011UFDF-7
HTML Datový list
DMN2011UFDF-7-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN2011UFDF-7DIDKR
31-DMN2011UFDF-7TR
DMN2011UFDF-7DIDKR-DG
DMN2011UFDF-7DITR
DMN2011UFDF-7-DG
DMN2011UFDF-7DICT
DMN2011UFDF-7DICT-DG
DMN2011UFDF-7DITR-DG
31-DMN2011UFDF-7DKR
31-DMN2011UFDF-7CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMN2011UFDF-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9286
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN2011UFDF-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.12
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
PMPB8XNX
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5000
DiGi ČÍSLO DÍLU
PMPB8XNX-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.11
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
DMN3731U-7
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
2N7002AQ-7
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
DMN2011UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN