Číslo produktu výrobce:
DMN2013UFDE-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN2013UFDE-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Inventář:
3000 Ks Nový Originál Skladem
12888027
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN2013UFDE-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
25.8 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2453 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
660mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
U-DFN2020-6 (Type E)
Balení / pouzdro
6-PowerUDFN
Základní číslo výrobku
DMN2013
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN2013UFDE-7DICT
DMN2013UFDE-7DITR
DMN2013UFDE7
DMN2013UFDE-7DIDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN2011UFDE-13
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
DMNH6021SK3-13
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
DMN4034SSS-13
MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
