DMN2015UFDF-7
Číslo produktu výrobce:

DMN2015UFDF-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN2015UFDF-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 15.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6

Inventář:

3000 Ks Nový Originál Skladem
12883810
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN2015UFDF-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
42.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1439 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.8W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
U-DFN2020-6
Balení / pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
DMN2015

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
31-DMN2015UFDF-7DKR
DMN2015UFDF-7-DG
31-DMN2015UFDF-7TR
31-DMN2015UFDF-7CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMP3165L-13

MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R

diodes

DMN3010LFG-13

MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333

diodes

DMP1081UCB4-7

MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4

diodes

DMN3010LFG-7

MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333