Číslo produktu výrobce:
DMN2016UFX-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN2016UFX-7-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 24V 9.9A (Ta) 1.07W (Ta) Surface Mount V-DFN2050-4
Inventář:
12887973
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN2016UFX-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
24V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.9A (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
15mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 10V
Výkon - Max
1.07W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
4-VFDFN Exposed Pad
Balíček zařízení dodavatele
V-DFN2050-4
Základní číslo výrobku
DMN2016
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BSS84V-7
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT563
DMN3135LVT-7
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
DMN2010UDZ-7
MOSFET 2N-CH 24V 11A 6UDFN