Číslo produktu výrobce:
DMN2022UNS-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN2022UNS-7-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 10.7A (Ta) 1.2W Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXB)
Inventář:
4000 Ks Nový Originál Skladem
12884860
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN2022UNS-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10.7A (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10.8mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20.3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 10V
Výkon - Max
1.2W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8 (Type UXB)
Základní číslo výrobku
DMN2022
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
DMN2022UNS-7-DG
DMN2022UNS-7DITR
DMN2022UNS-7DICT
DMN2022UNS-7DIDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN3012LFG-13
MOSFET 2N-CH 30V 20A POWERDI3333
DMP3164LVT-7
MOSFET 2P-CH 2.8A TSOT26
DMN3013LFG-7
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
