Číslo produktu výrobce:
DMN2450UFD-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN2450UFD-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Inventář:
21382 Ks Nový Originál Skladem
12899559
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN2450UFD-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
900mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
600mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
52 pF @ 16 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
400mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
X1-DFN1212-3
Balení / pouzdro
3-UDFN
Základní číslo výrobku
DMN2450
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN2450UFD-7DICT
DMN2450UFD-7DIDKR
DMN2450UFD-7DITR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TSM650P02CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
TSM600P03CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
