Číslo produktu výrobce:
DMN2600UFB-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN2600UFB-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 1.3A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventář:
24346 Ks Nový Originál Skladem
12949408
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN2600UFB-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
350mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.85 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
70.13 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
540mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
X1-DFN1006-3
Balení / pouzdro
3-UFDFN
Základní číslo výrobku
DMN2600
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN2600UFB-7DI
DMN2600UFB-7DICT
-DMN2600UFB-7DITR
DMN2600UFB-7DITR
DMN2600UFB-7DI-DG
-DMN2600UFB-7DIDKR
DMN2600UFB-7DIDKR
-DMN2600UFB-7DICT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP10H4D2S-13
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
DMN10H170SFDE-7
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
DMNH4005SCT
MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
