DMN2600UFB-7
Číslo produktu výrobce:

DMN2600UFB-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN2600UFB-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 1.3A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3

Inventář:

24346 Ks Nový Originál Skladem
12949408
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN2600UFB-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
350mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.85 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
70.13 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
540mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
X1-DFN1006-3
Balení / pouzdro
3-UFDFN
Základní číslo výrobku
DMN2600

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN2600UFB-7DI
DMN2600UFB-7DICT
-DMN2600UFB-7DITR
DMN2600UFB-7DITR
DMN2600UFB-7DI-DG
-DMN2600UFB-7DIDKR
DMN2600UFB-7DIDKR
-DMN2600UFB-7DICT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMP10H4D2S-13

MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3

diodes

DMN10H170SFDE-7

MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

diodes

DMNH4005SCT

MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

diodes

DMP3028LPSQ-13

MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8