DMN3018SFG-7
Číslo produktu výrobce:

DMN3018SFG-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN3018SFG-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventář:

2000 Ks Nový Originál Skladem
12898893
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN3018SFG-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
21mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
697 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMN3018

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,000
Další jména
DMN3018SFG-7DICT
DMN3018SFG-7DITR
31-DMN3018SFG-7DKR
31-DMN3018SFG-7CT
DMN3018SFG-7-DG
DMN3018SFG-7DIDKR
31-DMN3018SFG-7TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
taiwan-semiconductor

TSM2318CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM70N600CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252

diodes

DMTH10H009SPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060