DMN3025LFV-7
Číslo produktu výrobce:

DMN3025LFV-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN3025LFV-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 25A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Inventář:

5000 Ks Nový Originál Skladem
12889268
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN3025LFV-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
18mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
900mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8 (Type UX)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMN3025

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,000
Další jména
DMN3025LFV-7-DG
31-DMN3025LFV-7DKR
31-DMN3025LFV-7CT
31-DMN3025LFV-7TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J56MFV,L3F

MOSFET P-CH 20V 800MA VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J114TU(TE85L)

MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J356R,LF

MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K131TU,LF

MOSFET N-CH 30V 6A UFM