Číslo produktu výrobce:
DMN3069L-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN3069L-7-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3
Inventář:
12987352
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN3069L-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
30mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.1 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
309 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
800mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
DMN3069
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
31-DMN3069L-7TR
31-DMN3069L-7DKR
31-DMN3069L-7CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NP88N04NUG-S18-AY
NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF
SIJH5700E-T1-GE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
FDD4243-G
FDD4243-G
