DMN30H4D0L-7
Číslo produktu výrobce:

DMN30H4D0L-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN30H4D0L-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Podrobný popis:
N-Channel 300 V 250mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventář:

20142 Ks Nový Originál Skladem
12891839
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN30H4D0L-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
300 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.7V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
187.3 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
310mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
DMN30

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN30H4D0L-7DITR
DMN30H4D0L-7DICT
DMN30H4D0L-7DIDKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
taiwan-semiconductor

TSM60NB150CF C0G

MOSFET N-CH 600V 24A ITO220S

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K15AMFV,L3F

MOSFET N-CH 30V 100MA VESM

diodes

DMN3010LSS-13

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

diodes

DMG4N60SJ3

MOSFET N-CH 600V 3A TO251