DMN3110SQ-7
Číslo produktu výrobce:

DMN3110SQ-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN3110SQ-7-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 2.5A (Ta) 740mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventář:

12979245
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN3110SQ-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
73mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
305.8 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
740mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
DMN3110

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
31-DMN3110SQ-7DKR
31-DMN3110SQ-7TR
31-DMN3110SQ-7CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMTH84M1SPS-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMNH6069SFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMTH31M7LPSQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

fairchild-semiconductor

FCP25N60N-F102

MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3