DMN3115UDM-7
Číslo produktu výrobce:

DMN3115UDM-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN3115UDM-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-26

Inventář:

12900131
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN3115UDM-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
60mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
476 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
900mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-26
Balení / pouzdro
SOT-23-6
Základní číslo výrobku
DMN3115

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN3115UDMDIDKR
DMN3115UDMDITR
DMN3115UDM7
DMN3115UDMDICT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMT3003LFG-13

MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333

taiwan-semiconductor

TSM60NB380CH C5G

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251

taiwan-semiconductor

TSM2N60ECP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252

taiwan-semiconductor

TSM60N600CI C0G

MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB