DMN31D5UDJ-7
Číslo produktu výrobce:

DMN31D5UDJ-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN31D5UDJ-7-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT963
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-963

Inventář:

9129 Ks Nový Originál Skladem
12889064
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN31D5UDJ-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
220mA (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.38nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
22.6pF @ 15V
Výkon - Max
350mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-963
Balíček zařízení dodavatele
SOT-963
Základní číslo výrobku
DMN31

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
10,000
Další jména
31-DMN31D5UDJ-7DKR
DMN31D5UDJ-7-DG
31-DMN31D5UDJ-7CT
31-DMN31D5UDJ-7TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6L36TU,LF

MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6P35AFU,LF

MOSFET 2P-CH 20V 0.25A US6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6L40TU,LF

MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6N7002BFU(T5L,F

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6