Číslo produktu výrobce:
DMN3200U-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN3200U-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 2.2A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventář:
99540 Ks Nový Originál Skladem
12888722
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN3200U-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
90mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
650mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
DMN3200
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
-DMN3200U-7DIDKR
DMN3200U-7DIDKR
-DMN3200U-7DICT
DMN3200U-7DITR
DMN3200U-7-DG
-DMN3200U-7DITR
DMN3200U-7DICT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP3028LK3Q-13
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
DMTH4008LFDFW-13
MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
DMN7022LFG-13
MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
