Číslo produktu výrobce:
DMN32D4SDW-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN32D4SDW-13-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 650mA 290mW Surface Mount SOT-363
Inventář:
12888287
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN32D4SDW-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
650mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.6V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 15V
Výkon - Max
290mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SOT-363
Základní číslo výrobku
DMN32
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
10,000
Další jména
DMN32D4SDW-13DI
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMC3016LNS-7
MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
DMN2040LTS-13
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
DMC3071LVT-13
MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
