Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
DMN5L06DW-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN5L06DW-7-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 50V 280mA 200mW Surface Mount SOT-363
Inventář:
Poptejte online
12891910
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN5L06DW-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
50V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
280mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3Ohm @ 200mA, 2.7V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Výkon - Max
200mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SOT-363
Základní číslo výrobku
DMN5L06
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
DMN5L06DW
Technické listy
DMN5L06DW-7
HTML Datový list
DMN5L06DW-7-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN5L06DWDITR
DMN5L06DWDICT
DMN5L06DW7
DMN5L06DWDIDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SI1902DL-T1-E3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
34190
DiGi ČÍSLO DÍLU
SI1902DL-T1-E3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.14
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FDG6301N
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
69606
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDG6301N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.11
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN2004DWKQ-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
DMN3012LEG-7
MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
DMN5L06V-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
DMTH4007SPDQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 14.2A POWERDI50