Číslo produktu výrobce:
DMN62D0LFB-7B
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN62D0LFB-7B-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventář:
12891749
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN62D0LFB-7B Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.45 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
32 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
470mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
X1-DFN1006-3
Balení / pouzdro
3-UFDFN
Základní číslo výrobku
DMN62
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
10,000
Další jména
DMN62D0LFB-7BDITR
31-DMN62D0LFB-7BTR
DMN62D0LFB7B
31-DMN62D0LFB-7BCT
DMN62D0LFB-7BDICT
DMN62D0LFB-7BDIDKR
DMN62D0LFB-7BDIDKR-DG
DMN62D0LFB-7BDICT-DG
31-DMN62D0LFB-7BDKR
DMN62D0LFB-7BDITR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMN62D0LFB-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
242572
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN62D0LFB-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.06
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN1023UCB4-7
MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
DMN2026UVT-7
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
DMN1014UFDF-13
MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN