Číslo produktu výrobce:
DMN62D0LFD-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN62D0LFD-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Inventář:
96932 Ks Nový Originál Skladem
12887675
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
eDGl
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN62D0LFD-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
31 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
480mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
X1-DFN1212-3
Balení / pouzdro
3-UDFN
Základní číslo výrobku
DMN62
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN62D0LFD-7CT-DG
DMN62D0LFD-7CT
DMN62D0LFD-7TR-DG
DMN62D0LFD-7DICT
DMN62D0LFD-7TR
DMN62D0LFD-7DKR
DMN62D0LFD-7DKR-DG
DMN62D0LFD-7DITR
DMN62D0LFD-7DIDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ZVN0545ASTOA
MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE
DMN3112S-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
DMG4710SSS-13
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
