Číslo produktu výrobce:
DMN62D0UW-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN62D0UW-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 340mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Inventář:
58905 Ks Nový Originál Skladem
12900956
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN62D0UW-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
340mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
32 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
320mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-323
Balení / pouzdro
SC-70, SOT-323
Základní číslo výrobku
DMN62
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN62D0UW-7DIDKR
DMN62D0UW-7DICT
DMN62D0UW-7DITR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMTH43M8LPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
DMP10H400SEQ-13
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
DMNH6011LK3-13
MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R
