DMN65D8LFB-7
Číslo produktu výrobce:

DMN65D8LFB-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN65D8LFB-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3

Inventář:

12895603
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN65D8LFB-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
260mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
25 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
430mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
X1-DFN1006-3
Balení / pouzdro
3-UFDFN
Základní číslo výrobku
DMN65

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN65D8LFB-7DIDKR
DMN65D8LFB-7DITR
DMN65D8LFB-7DICT
DMN65D8LFB-7-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
NX7002BKMYL
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
91465
DiGi ČÍSLO DÍLU
NX7002BKMYL-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.03
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
taiwan-semiconductor

TSM120N06LCS RLG

MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP

taiwan-semiconductor

TSM4800N15CX6 RFG

MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26

taiwan-semiconductor

TSM340N06CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252

taiwan-semiconductor

TSM6N60CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252