Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
DR Kongo
Argentina
Turecko
Rumunsko
Litva
Norsko
Rakousko
Angola
Slovensko
LTALY
Finsko
Bělorusko
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Černá Hora
Ruština
Belgie
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Moldavsko
Německo
Nizozemsko
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
Francie
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Portugalsko
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Španělsko
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
DMN65D8LV-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN65D8LV-7-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventář:
Poptejte online
13000755
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN65D8LV-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
22 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
370mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
DMN65
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
31-DMN65D8LV-7TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMN65D8LQ-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
41570
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN65D8LQ-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.02
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
DMN65D8LV-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN65D8LV-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.04
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
DMN65D8L-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
562868
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN65D8L-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.01
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
DMN65D8LQ-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
294
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN65D8LQ-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.02
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
DMT35M4LFVW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMT10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMP6018LPS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMN3061SW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R